第三代半导体成为国家战略核心 

第三代半导体（SiC、GaN、AlN）具备高温、高频、大功率、抗辐射等优势，是新能源汽车、光伏储能、5G 通信、航空航天、工业控制等领域的核心基础，已纳入国家战略性新兴产业重点支持方向。

封装技术是第三代半导体性能发挥的关键瓶颈 

第三代半导体工作温度远超传统硅基芯片（可达 300℃以上），传统锡基焊料无法满足高温、高可靠性封装需求，新型封装材料成为制约产业发展的核心短板。

纳米金属材料是第三代半导体封装的最优解决方案 

纳米银、纳米铜等材料具备低温烧结、高温服役、高导电导热、高可靠性等特性，可实现芯片与基板的高强度、低热阻连接，是第三代半导体功率器件封装的核心关键材料。

国外垄断严重，国产替代迫在眉睫 

高端纳米金属封装材料长期被美国、日本、韩国企业垄断，价格高、供货周期长、存在断供风险，严重制约我国第三代半导体产业自主可控发展。

规模化量产工艺：实验室技术转化为大规模、低成本、稳定量产工艺难度大；

原材料供应链：高端原材料依赖进口，供应链自主可控性不足；

成本控制：纳米材料制备成本高，难以满足大规模市场推广需求；

标准与认证：行业标准缺失，车规级、军工级认证周期长、门槛高

企业自有资金、银行贷款、政府专项资金、股权融资 技术带头人：材料学 / 半导体封装领域高端人才；研发团队：纳米材料、半导体工艺、分析检测专业技术人员

独创纳米颗粒表面改性技术，提升稳定性与烧结性能；

低成本量产工艺，降低材料成本 30% 以上；

适配第三代半导体全系列封装场景，满足车规级要求；

无压低温烧结，简化封装工艺，提升生产效率

合作开发 许可转让