金属氧化物是非常丰富的一类化合物半导体，近年来一直是半导体新材料、新器件和新能源领域的研究热点。金属氧化物的禁带宽度分布很广，涵盖了从红外到深紫外的各种波段，包括许多直接带隙半导体，因此在各个波段的光电器件如发光器件和光探测器件方面具有显著的应用前景。

金属氧化物纳米晶的最佳生长技术包括三种，因为纳米晶分三种：零维的量子点（化学溶剂热合成），一维的纳米线（化学溶剂热合成，化学气相沉积 CVD），二维的纳米膜（金属有机化学气相沉积）。我们采用的化学溶剂热合成法是一种在 100 摄氏度以下的广泛适用于各种常见金属氧化物制备的水浴化学合成法，工艺成熟，成本低廉，重复性好，对环境无污染。通过控制反应物组分、温度和时间，既可以生长量子点、纳米线、纳米管，也可以生长纳米结构阵列和准薄膜。