作为新型超宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）凭借其优异的化学和热稳定性，受到国内外研究人员越来越多的关注。相比 SiC 和 GaN，Ga2O3 禁带宽度为 ~4.9 eV，临界击穿电场高达 8 MV/cm，是目前国际上研发高性能功率 / 射频器件的重点前沿方向。2022 年 8 月，美国和日本相继对我国实施氧化镓禁运。因此，开展新型宽带隙半导体材料与器件的制备和研究，是我国在宽禁带半导体产业实现自主可控的关键环节，对推动我国第三代半导体技术国产化至关重要。基于此，硅基太阳电池及宽禁带半导体团队在氧化镓薄膜外延工艺和功率器件领域开展持续研发，突破了两英寸晶圆级氧化镓外延片及千伏级（大于1500 V）二极管器件的制备工艺，有力地推动了氧化镓材料与器件的国产化进程。