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信息描述
技术简介：
金属有机气相外延沉积（MOCVD）是制备氮化物宽禁带半导体材料的主流方式。传统 MOCVD 主要依靠热能，存在缺陷密度高、应力大易开裂大的不足。针对这一问题，硅基太阳电池及宽禁带半导体团队通过耦合紫外光能量场的策略，研制出一套专用于超宽禁带半导体外延长的 MOCVD 设备。该设备显著降低了薄膜点缺陷密度、提高了高铝组分 AlGaN 材料的载流子浓度。这一设备为同类型国内首台、全球第二台。它的成功研制为领域内超宽禁带薄膜外延质量不高、生长效率较低等瓶颈问题提供了解决方案。基于该设备外延的 AlN、AlGaN 材料已批量供货。
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