需求概述：降低硫氧化钆闪烁陶瓷的制备成本，突破传统真空热压/烧结的尺寸限制。相关技术需求细节：1、先进烧结技术（非真空热压）的应用：传统的真空热压法制备GOS陶瓷效率低、形状简单。需要引入放电等离子烧结（SPS）或热等静压（HIP）后处理技术，在降低烧结温度（目标降低100-200℃）的同时，消除残余气孔。2、NIR-II区发射的GOS陶瓷开发：目前商业GOS主要发射在可见光区（绿光、红光），与传统的PMT（光电倍增管）匹配。但新型硅基探测器（如SPAD单光子雪崩二极管）在NIR-II区灵敏度更高。3、低成本粉体合成与前驱体处理：GOS粉体的品质直接决定陶瓷性能。需要开发大规模、高纯度、单分散的GOS:Pr,Tb纳米粉体连续合成工艺。

立足于医疗、安检用探测材料自主研发与生产，突破高性能闪烁陶瓷制备技术，打破国外技术垄断，实现国产化；充分发挥自身产品在优异性能、低成本以及高稳定性优势，打造核探测影像“中国芯”，为核医学影像、安防等探测设备完全自主制造提供核心技术支撑；不断完善产品性能与类别，实现为客户提供定制化产品和技术方案。

需求概述：降低硫氧化钆闪烁陶瓷的制备成本，突破传统真空热压/烧结的尺寸限制。相关技术需求细节：1、先进烧结技术（非真空热压）的应用：传统的真空热压法制备GOS陶瓷效率低、形状简单。需要引入放电等离子烧结（SPS）或热等静压（HIP）后处理技术，在降低烧结温度（目标降低100-200℃）的同时，消除残余气孔。2、NIR-II区发射的GOS陶瓷开发：目前商业GOS主要发射在可见光区（绿光、红光），与传统的PMT（光电倍增管）匹配。但新型硅基探测器（如SPAD单光子雪崩二极管）在NIR-II区灵敏度更高。3、低成本粉体合成与前驱体处理：GOS粉体的品质直接决定陶瓷性能。需要开发大规模、高纯度、单分散的GOS:Pr,Tb纳米粉体连续合成工艺。

立足于医疗、安检用探测材料自主研发与生产，突破高性能闪烁陶瓷制备技术，打破国外技术垄断，实现国产化；充分发挥自身产品在优异性能、低成本以及高稳定性优势，打造核探测影像“中国芯”，为核医学影像、安防等探测设备完全自主制造提供核心技术支撑；不断完善产品性能与类别，实现为客户提供定制化产品和技术方案。