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信息描述
技术简介：
本发明公开了一种场效应晶体管及其应用。所述场效应晶体管包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。较之现有技术，本发明提供的场效应晶体管结构更为简单，可以实现反相器、非门、非门电路、与非门、或非门以及或门等多种功能，同时其制作工艺简单，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，且成本低廉，具有广阔的应用前景。
专利信息：
| 专利所属地区 | 专利类型 | 专利号/申请号/登记号 | 专利授权日期 | 专利证书图片 |
|---|---|---|---|---|
| 中国 | 发明专利 | CN108767015B |
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