本申请公开了一种单晶体管结构、多晶体管结构以及电子装置，所述单晶体管结构包括：衬底；位于所述衬底同一侧的沟道区、源区和漏区；所述沟道区在延伸方向上具有相对的第一端和第二端；所述源区与所述第一端电接触，所述漏区与所述第二端电接触；位于所述源区与所述漏区之间的栅极，所述栅极包围部分所述沟道区，所述沟道区与所述栅极相对的区域之间具有绝缘层；沟道电极，所述沟道电极与所述栅极露出的所述沟道区电接触，所述沟道电极与所述沟道区被所述栅极包围的部分有交叠部分，且所述沟道电极与所述栅极隔绝绝缘。采用本申请技术方案所述的单晶体管结构或多晶体管结构，能够降低集成电路的面积，提高集成度。