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信息描述
技术简介：
本项目利用碳化硅作为传感器材料，关键环节包括传感器的结构
设计、SiC 的制备、SiC 掺杂以及传感器芯片的封装工艺等。开发出
全碳化硅高温压力传感器系列产品，量程包括MPa 级、KPa 级等多个
量程段压力，工作温度范围-40℃-550℃，瞬态温度范围-40℃-1500℃。
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