高性能服务器芯片
合作区域: 国内
拟投入总金额: 999.0万元
所属地域: 东郊街道
技术领域: 块体材料的电子态
技术交易金额: 万元
截止日期: 2025-12-21
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信息描述
研发背景:
主要内容:
  • 技术难题主要内容:提升芯片的计算能力,单核性能提升30%以上,同时降低功耗,芯片功耗控制在200 W以下。

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前期研究开发基础:
  • 前期研究开发基础:已掌握中低端服务器芯片设计技术,具备一定的芯片制造工艺基础。

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现有的生产和研发的设备:
攻关目标:
  • 攻关目标:开发出高性能、低功耗的服务器芯片,满足数据中心对高性能计算的需求。

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成果形式:

成果形式:芯片样品及性能测试报告,通过芯片性能认证。