半导体光电耦合器具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强，能隔离噪音，工作温度宽，输入输出之间电绝缘，单向传输信号及逻辑电路易连接等优点，广泛应用于充电器，家电、仪器仪表及汽车等领域，我国每年需求量在200亿只以上，而国内企业供货量仅占10%，基本上被欧美日及中国台湾厂商所占领。

随着工业互联网的发展，数据传输速度越来越快，国内现有光电耦合器10MBd速度难以满足用户需要。而高端产品主要被日美品牌垄断。国内在高端光耦领域设计、封装技术、封装品质等方面与国际先进水平相比差距较大，特别是高于20MBd的高速光电耦合器，目前大陆尚无厂家可以生产。

为此，亟需通过技术攻关提高光耦的工作频率突破50MMBd,以满足工业互联网高速数据传输的需要，实现国产化替代，解决“卡脖子”技术难题，打破国外垄断局面，通过自主创新，引领产业发展具有重要的意义。

（1）高速50MBd红外光敏芯片的研发。研发50MBd具有PD红外光敏二极管的混合集成CMOS高速芯片，在15MBd红外光感测芯片已突破PD与CMOS一体化集成技术基础上，采用全定制设计方法，完善集成电路芯片设计、验证、流片和测试工作流程。优化高速CMOS工艺，优化电路设计，把传输速率上限从15MBd提高到50MBd，解决光敏二极管面临的传输速率瓶颈难题。

（2）高通量GaAℓAs LED红外发光二极管芯片的研发。研发提高红外发光二极管通量技术、倒装LED芯片技术，提高发光的外量子效率，以较小驱动电流IF获得较大光通量，解决10-50MBd的高频发热问题。

（3）10-50MBd高速光电耦合器的多芯片封装工艺设计。研发多芯片光耦封装设计与工艺技术，突破高频50MBd带来的干扰、发热问题，解决多通道封装技术高频带来的串扰问题。

（4）高速光电耦合器封装、检测工艺设计，专用封装、检测生产线、设备和工装的研发。研发专用封装、检测生产线，将10-50MBd高速红外光感测芯片、高通量GaAℓAs LED红外发光二极管，引线框架结构与专门研发的多芯片封装工艺整合为一体，实现高数据传输速率50MBd和5000 Vrms (min)隔离电压，DIP8/16、SMD8/16、SOP8/16、MSOP16等多种封装形式的50MBd高速光电耦合器产业化。

4.在高速光电耦合器研发及产业化方面企业的竞争力达到国内第一，全球前三的水平，国内市场占有率达20%以上。

1. 研发高速光电耦合器，形成年产4亿只的生产能力。产品主要技术指标：

数据传输速率：50MBd

供电电压：4.5~5.5V

工作温度：-40 ～ 85℃

传播延迟时间：25ns (max)

脉宽失真：8ns (max)

隔离电压：5000 Vrms (min)

完整的产品