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信息描述
研发背景：
随着工业互联网的发展，数据传输速度越来越快，国内现有光电耦合器10MBd速度难以满足用户需要。而高端产品主要被日美品牌垄断。国内在高端光耦领域设计、封装技术、封装品质等方面与国际先进水平相比差距较大，特别是高于20MBd的高速光电耦合器，目前大陆尚无厂家可以生产。
主要内容：
高速50MBd红外光敏芯片的研发。高通量GaAℓAs LED红外发光二极管芯片的研发。
前期研究开发基础：
企业产品数据传输速率：25MBd，在国内处于领先水平，但与国外先进水平相比差距较大。
现有的生产和研发的设备：
攻关目标：
研发高速光电耦合器，形成年产4亿只的生产能力。产品主要技术指标：
数据传输速率：50MBd
供电电压：4.5~5.5V
工作温度：-40 ～ 85℃
成果形式：
形成专利5项
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