本技术采用高纯超细氧化铝粉体为原料,通过合理添加改性剂,经等静压成型,高温烧结,精加工等方法获得晶粒细而均匀、气孔率极低,表面光洁度高,高频下具优越介电性能并且稳定的大面积基片材料。工艺成熟,可大规模生产。