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信息描述
技术简介：
研究院在5G高频滤波器用ScAlN薄膜制备领域取得突破，开发出4英寸ScAlN多晶薄膜，实现了35at%Sc掺杂和小于2nm的表面粗糙度，并建成示范工程。该技术是5G射频芯片的核心，美日等国长期垄断。相关成果已申请2项发明专利并获国际会议奖项，为我国突破“卡脖子”技术、发展自主5G射频产业奠定了重要基础。
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