行业对高速率光芯片的需求迫切,尤其是在25G及以上速率领域(如用于5G和高速光模块)。但目前国产化率依然较低(约4%),核心技术亟待突破。同时,硅光技术成为重要方向,预计到2030年硅光模块市占率将超40%。此外,上游的核心材料和设备(如高端光刻机)国产化也是关键需求。
行业对高速率光芯片的需求迫切,尤其是在25G及以上速率领域(如用于5G和高速光模块)。但目前国产化率依然较低(约4%),核心技术亟待突破。同时,硅光技术成为重要方向,预计到2030年硅光模块市占率将超40%。此外,上游的核心材料和设备(如高端光刻机)国产化也是关键需求。
行业对高速率光芯片的需求迫切,尤其是在25G及以上速率领域(如用于5G和高速光模块)。但目前国产化率依然较低(约4%),核心技术亟待突破。同时,硅光技术成为重要方向,预计到2030年硅光模块市占率将超40%。此外,上游的核心材料和设备(如高端光刻机)国产化也是关键需求。
行业对高速率光芯片的需求迫切,尤其是在25G及以上速率领域(如用于5G和高速光模块)。但目前国产化率依然较低(约4%),核心技术亟待突破。同时,硅光技术成为重要方向,预计到2030年硅光模块市占率将超40%。此外,上游的核心材料和设备(如高端光刻机)国产化也是关键需求。