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信息描述
技术简介：
本发明涉及一种能带缺陷密度分布的测试方法，其包括以下步骤：先提供一测试系统以及一薄膜晶体管，该测试系统包括示波器、脉冲发生器、探针台和电流/电压转换器，该薄膜晶体管的半导体层为待测的氧化物，将该薄膜晶体管置于所述探针台，并将该薄膜晶体管的源极和漏极相连；再通过脉冲发生器通过施加多个不同幅值的脉冲电压，采集获得多个瞬态电流曲线，并对在脉冲电压的下降沿部分之后的瞬态电流随时间进行积分，得到多个电量值，再将多个电量值相减得到多个电量差值，再利用公式得到对应于各能级之间的能带缺陷密度分布。
专利信息：
| 专利所属地区 | 专利类型 | 专利号/申请号/登记号 | 专利授权日期 | 专利证书图片 |
|---|---|---|---|---|
| 中国 | 发明专利 | CN106546638B |
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