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信息描述
技术简介：
本实用新型公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。较之现有技术，本实用新型提供的场效应晶体管结构更为简单，占用空间更少，且制作工艺步骤简化，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，成本低廉，并且可以实现单器件存储器，因此在计算机等领域有广泛的应用前景。
专利信息：
| 专利所属地区 | 专利类型 | 专利号/申请号/登记号 | 专利授权日期 | 专利证书图片 |
|---|---|---|---|---|
| 中国 | 发明专利 | CN208444843U |
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