本发明提供了一种高纯二氧化硅的制备方法,包括以下步骤:S1:准备细硅粉作为原料;配置pH为7‑8的弱碱液备用;S2:将所述步骤S1中的细硅粉与所述碱液搅拌混合,细硅粉与弱碱发生缓慢的化学反应产生氢气是硅粉体积发生膨胀并形成多孔硅粉预制体;S3:将所述步骤S2得到的多孔硅粉预制体进行干燥处理,随后将所述多孔硅粉预制体在氧气氛围下加热反应,加热至温度为1000‑1500℃后保温,保温结束后待产品冷却,得到高纯二氧化硅预制体;S4:将所述步骤S3得到的高纯二氧化硅预制体经破碎、筛分、清洗、干燥后得到高纯二氧化硅。通过本发明制备得到的高纯二氧化硅纯度高,且本发明制备方法的成本低、效率高,具备较高的商业化价值与推广的价值。
| 专利所属地区 | 专利类型 | 专利号/申请号/登记号 | 专利授权日期 | 专利证书图片 |
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| 中国 | 发明专利 | CN202410087265.3 |