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信息描述
研发背景：
主要内容：
III-V族半导体、薄膜铌酸锂、硅光等多种材料进行异质集成，才能实现高性能激光器、高速调制器、宽带探测器的芯片级集成
前期研究开发基础：
无
现有的生产和研发的设备：
攻关目标：
异质材料间的晶格失配与热管理硅基平台上的高效光耦合（耦合损耗需降至<1dB）晶圆级异质集成的良率与可重复性
成果形式：
自主可控的异质集成工艺平台
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