技术经理人
行业专家
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高端化合物半导体衬底与外延片晶体质量控制难题
合作区域: 国内
拟投入总金额: 200.0万元
所属地域: 余姚市
技术领域: 无机非金属材料
技术交易金额: 万元
截止日期: 2027-08-13
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信息描述
研发背景：
主要内容：
磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等衬底位错密度、晶圆均匀性难以达到国际先进水平；大尺寸外延生长过程中晶格失配、应力缺陷难以抑制，直接造成激光器、探测器芯片良率偏低，高端衬底与外延材料进口依赖度高。
前期研究开发基础：
无
现有的生产和研发的设备：
攻关目标：
磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等衬底位错密度、晶圆均匀达到国际先进水平；大尺寸外延生长过程中晶格失配、应力，激光器、探测器芯片良率提升
成果形式：
达标的半导体衬片
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