技术经理人
行业专家
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异质材料光电单片集成难点（硅基无法发光的原理性瓶颈）
合作区域: 国内
拟投入总金额: 300.0万元
所属地域: 余姚市
技术领域: 无机非金属材料
技术交易金额: 万元
截止日期: 2027-08-13
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信息描述
研发背景：
主要内容：
硅属于间接带隙半导体，难以制备高效片上光源；硅光、铌酸锂光芯片需要与 InP 激光器异质集成。晶圆键合、外延转移工艺复杂度高，界面缺陷、热失配、耦合损耗大，低成本、高良率混合集成方案尚未成熟
前期研究开发基础：
无
现有的生产和研发的设备：
攻关目标：
制备高效片上光源硅光、铌酸锂光芯片需要与 InP 激光器异质集成
成果形式：
光源硅光、铌酸锂光芯片
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