硅光、氮化硅、铌酸锂光波导要求纳米级侧壁粗糙度;高精度干法刻蚀易引入侧壁损伤、表面缺陷,带来传输损耗;图形尺寸微小波动会引发波长漂移,难以满足高速光通信、光子集成芯片(PIC)量产一致性要求
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硅光、氮化硅、铌酸锂光波导纳米级侧壁粗糙度;满足高速光通信、光子集成芯片(PIC)量产一致性要求。
光波导超低损耗与微纳加工精度控制