光波导超低损耗与微纳加工精度控制瓶颈
合作区域: 国内
拟投入总金额: 200.0万元
所属地域: 余姚市
技术领域: 无机非金属材料
技术交易金额: 万元
截止日期: 2027-08-13
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信息描述
研发背景:
主要内容:

硅光、氮化硅、铌酸锂光波导要求纳米级侧壁粗糙度;高精度干法刻蚀易引入侧壁损伤、表面缺陷,带来传输损耗;图形尺寸微小波动会引发波长漂移,难以满足高速光通信、光子集成芯片(PIC)量产一致性要求

前期研究开发基础:

现有的生产和研发的设备:
攻关目标:

硅光、氮化硅、铌酸锂光波导纳米级侧壁粗糙度;满足高速光通信、光子集成芯片(PIC)量产一致性要求。

成果形式:

光波导超低损耗与微纳加工精度控制