MEMS/微型传感器用稀土永磁薄膜需高剩磁比(SQR>0.85)、高矫顽力(>25kOe)、强磁各向异性,但溅射/外延生长中软磁α-Fe相易过量长大破坏交换耦合。
多层膜调制及退火处理可获部分交换耦合;第一性原理+微磁学模拟已指导少数薄膜体系设计。
制备NdFeB基或SmCo基纳米复合永磁薄膜,Mr/Ms≥0.85、Hc≥25kOe、(BH)max(膜等效)>15MGOe,在Si基底上附着力合格,图案化精度≤10μm。
永磁薄膜样品、微磁学模拟数据库、VSM/AFM表征数据、发明专利及在MEMS器件上的验证报告