"一、设计层面
在折-超混合系统中，超透镜承担消色差与像差校正功能，需补偿折射透镜组残留的宽带色差和波前畸变。当前面临：①宽带消色差相位调控难题——红外工作带宽达数微米，硅基纳米柱的群时延覆盖范围受限，缺乏红外波段的超构单元相位-色散数据库，宽带相位覆盖与高透过率难以兼顾；②折-超协同优化方法缺失——传统光学设计软件无法处理亚波长结构多参数优化，电磁仿真工具无法嵌入系统级光线追迹，设计依赖人工试错，效率低且难以收敛至全局最优；③自由曲面相位分布求解困难——多类像差校正需空间变的二维相位分布，大尺度多变量优化算法尚未建立。
二、制造层面
核心结构为硅基亚波长纳米柱/纳米孔阵列（高度/深度2~10μm，深宽比5:1~20:1）。当前面临：①高深宽比刻蚀未突破——现有SF₆/O₂刻蚀工艺面向连续面型，对离散纳米柱/孔侧壁垂直度、粗糙度（Ra>10 nm）和负载效应（密集/稀疏区刻蚀速率差15%30%）缺乏控制手段；②大面积图形化瓶颈——电子束光刻精度高但产能极低、成本高；③掩模选择比不足——光刻胶与硅选择比仅1:3，1:5，深刻蚀时掩模快速损耗导致纳米柱顶部退化，硬掩模方案增加工艺步骤且去除易损伤结构；④刻蚀后清洗缺失——侧壁残留含氟聚合物在红外波段引入吸收散射，湿法清洗易致纳米柱倒塌，干法清洗可能恶化粗糙度，无损清洗工艺尚未建立。"                        

无

①高深宽比刻蚀未突破——现有SF₆/O₂刻蚀工艺面向连续面型，对离散纳米柱/孔侧壁垂直度、粗糙度（Ra>10 nm）和负载效应（密集/稀疏区刻蚀速率差15%30%）缺乏控制手段；②大面积图形化瓶颈——电子束光刻精度高但产能极低、成本高；③掩模选择比不足——光刻胶与硅选择比仅1:3，1:5，深刻蚀时掩模快速损耗导致纳米柱顶部退化，硬掩模方案增加工艺步骤且去除易损伤结构；④刻蚀后清洗缺失——侧壁残留含氟聚合物在红外波段引入吸收散射，湿法清洗易致纳米柱倒塌，干法清洗可能恶化粗糙度，无损清洗工艺尚未建立。

达到要求的红外超透镜