宁波科技大市场

光电一体化设计工具（光电子 EDA、PDK）生态短板

光子芯片缺少成熟、自主可控的仿真 EDA 工具；国内光芯片代工厂工艺设计套件（PDK）不完善，光电协同仿真精度不足；电学、...

状态: 已发布

技术领域: ‌云计算和数据中心服务

拟投入总金额: 200.0万元

截止日期: 2026-09-13

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光电封装界面热膨胀系数失配与长期可靠性问题

芯片、焊料、基板、光学胶之间热膨胀不匹配，高低温循环下产生界面应力，引发脱粘、光路偏移、焊点疲劳；光学胶、隔离器晶...

状态: 已发布

技术领域: 技术转让和中介服务

拟投入总金额: 300.0万元

截止日期: 2027-08-13

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新型光电功能材料稳定性与可加工性矛盾

钙钛矿、二维材料、有机光电材料具备优异光电特性，但普遍耐水氧、耐热性能差；溶液法制备薄膜易产生晶界缺陷；高稳定性封...

状态: 已发布

技术领域: 技术维护和优化

拟投入总金额: 200.0万元

截止日期: 2027-08-13

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Micro-LED 全彩化关键材料效率瓶颈

红光 Micro-LED 存在 “效率骤降” 问题，InGaP 材料体系量子效率随尺寸缩小快速下滑；巨量转移、巨量修复工艺良率低；像素...

状态: 已发布

技术领域: ‌IT培训与认证

拟投入总金额: 150.0万元

截止日期: 2026-09-13

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光电器件宽温域稳定性与波长漂移抑制问题

硅、铌酸锂、III-V 族材料普遍存在显著热光系数，环境温度变化导致谐振波长、调制特性偏移；传统温控方案增加功耗与体积，...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 300.0万元

截止日期: 2027-08-13

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高密度光电共封装（CPO）热管理难题

电芯片、激光器、光无源器件同封装布局，ASIC 功耗发热会造成激光器波长漂移、光功率衰减；有源光电器件耐热窗口窄，紧凑型...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 300.0万元

截止日期: 2027-08-13

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光芯片与光纤高精度耦合损耗居高不下

光纤与光芯片边缘耦合、光栅耦合普遍存在 1～3dB 插入损耗；微米 / 亚微米级对准要求严苛，批量生产调试成本高；偏振相关损...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 200.0万元

截止日期: 2027-08-13

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光波导超低损耗与微纳加工精度控制瓶颈

硅光、氮化硅、铌酸锂光波导要求纳米级侧壁粗糙度；高精度干法刻蚀易引入侧壁损伤、表面缺陷，带来传输损耗；图形尺寸微小...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 200.0万元

截止日期: 2027-08-13

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异质材料光电单片集成难点（硅基无法发光的原理性瓶颈）

硅属于间接带隙半导体，难以制备高效片上光源；硅光、铌酸锂光芯片需要与 InP 激光器异质集成。晶圆键合、外延转移工艺复杂...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 300.0万元

截止日期: 2027-08-13

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高端化合物半导体衬底与外延片晶体质量控制难题

磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等衬底位错密度、晶圆均匀性难以达到国际先进水平；大尺寸外延生长过程中晶...

状态: 已发布

技术领域: 无机非金属材料

拟投入总金额: 200.0万元

截止日期: 2027-08-13

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